金融界2024年12月12日音尘,国度常识产权局音信显示,无锡中科德芯感知科技有限公司申请一项名为“一种窄带隙化合物半导体质料的等离子体去胶要领”的专利,公然号CN 119108253 A,申请日期为2023年5月。
专利摘要显示,本创造供应了一种窄带隙化合物半导体质料的等离子体去胶要领。该要领搜罗以下设施:将待处分对象举办等离子体洗涤,以脉冲的办法输出射频功率,一个脉冲周期内的均匀射频功率为20W~200W;个中,待处分对象的质料为窄带隙化合物半导体质料。本创造的等离子体去胶要领既能有用去除红表探测器芯片皮相的残胶,又不会对芯片皮相酿成大的毁伤,对抬高红表探测器的职能拥有紧要的事理。